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SLM2001S

200V低（dī）压驱动芯片

样片申请

SLM2001S Datasheet

产品概述

产品特性

安规认（rèn）证

典型应用图

产品（pǐn）概述

SLM2001S是一款高压、高速的功（gōng）率MOSFET和IGBT驱（qū）动器。采用专有的高压集成（chéng）电路和锁存免（miǎn）疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动（dòng）方案（àn）。逻辑输入电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容（róng），最低支持3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器具有（yǒu）高脉冲电（diàn）流缓冲级，以减小驱（qū）动器交叉导（dǎo）通。浮动通道（dào）可用于驱动高边配置（zhì）的N型（xíng）沟（gōu）道功率MOSFET或IGBT，工作电压可（kě）高达200V。

产品特性

为自（zì）举操（cāo）作设计（jì）的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容许（xǔ）瞬间负电压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱动电（diàn）源范（fàn）围从（cóng） 10V 到 20V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

驱动电流：290 mA/600 mA

防止（zhǐ）交（jiāo）叉导通逻辑（jí）

两通道间匹配传输延迟

输出信号与（yǔ）输入信号同相

通过无铅（qiān）认证