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SLM2009

200V低压（yā）驱动芯片

样片申请

SLM2009 Datasheet

产品（pǐn）概述

产品（pǐn）特性

安规认证

典型应用（yòng）图

产品概（gài）述

SLM2009 是一（yī）款高压、高速的功率（lǜ）MOSFET和IGBT驱（qū）动器。采用专有的高压（yā）集成电路和锁存（cún）免疫的CMOS技（jì）术可提供可靠（kào）的单芯片驱（qū）动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容（róng），最低（dī）支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓（huǎn）冲级，以减小驱动器交叉导通。浮动（dòng）通（tōng）道（dào）可（kě）用于驱（qū）动高边（biān）配置的N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压可（kě）高达200V。

产品特性

为自举操作设计的浮动（dòng）通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电（diàn）压（yā），不受 dV/dt 影（yǐng）响

驱（qū）动（dòng）电（diàn）源范（fàn）围从 10V 到 18V

欠压闭（bì）锁

3.3V、5V 逻辑输（shū）入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导（dǎo）通逻辑

两通道间匹（pǐ）配传输延（yán）迟

输出（chū）信（xìn）号与输入信号（hào）同（tóng）相

通过无（wú）铅认证