SLM27511器件是单通（tōng）道高速低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和（hé）IGBT等功（gōng）率开关。SLM27511采用一种能够从内部极（jí）大的降低直通电（diàn）流的设计，将高峰值的源（yuán）电流和灌（guàn）电（diàn）流脉冲提供给电容（róng）负载，以实现（xiàn）轨（guǐ）到（dào）轨的驱（qū）动能力和典型值仅为 18ns 的极（jí）小传播延迟。
SLM27511在12V的VDD供（gòng）电（diàn）情况（kuàng）下，能够提供4A的峰值源（yuán）电流和5A的峰值（zhí）灌电流。
低成本的门极驱动方案（àn）可用于替代（dài） NPN和 PNP 分离器件方案
4A 的峰（fēng）值源电流和5A的峰值灌电流能（néng）力（lì）
快速的传输延时（典型值为 18ns）
快速的上升和下降时间（典型（xíng）值（zhí）为（wéi） 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围（wéi）
VDD 欠压（yā）闭锁功能
兼（jiān）容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈（yù）值
双输入设计(可选择反相或非反相（xiàng）驱（qū）动配（pèi）置)
输入（rù）浮空（kōng）时输出保持为低
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-6 的封装选项
400 080 9938
