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    样片申请 | 简（jiǎn）体中（zhōng）文
    SiLM2004E
    200V低压驱动芯片（piàn）
    样片申请
    SiLM2004E Datasheet
    产（chǎn）品概（gài）述
    产（chǎn）品特性
    安规认证
    典型应用图
    产品概述

    SiLM2004E 是一款高压、高（gāo）速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器（qì）。采用专有的（de）高压（yā）集成（chéng）电路和锁（suǒ）存免疫的（de）CMOS技术可提（tí）供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入（rù）电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支（zhī）持3.3V逻辑（jí）。输出驱动器具（jù）有高脉冲电流缓（huǎn）冲级，以减小驱动器交叉导（dǎo）通（tōng）。浮动通道可用于驱动高边配置（zhì）的N型沟（gōu）道功率MOSFET或IGBT，工作电（diàn）压可高（gāo）达200V。

    产品特（tè）性

    为自（zì）举操作（zuò）设计（jì）的浮动通道

    完全（quán）运行时电（diàn）压高达（dá） 200V

    容许（xǔ）瞬（shùn）间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

    驱动电源范围从 10V 到 18V

    欠压（yā）闭锁

    3.3V、5V逻辑输入兼容（róng）

    驱（qū）动（dòng）电流 ：290 mA/600 mA

    防止交叉导通（tōng）逻辑

    两（liǎng）通道间匹配（pèi）传（chuán）输延迟

    通过无（wú）铅认证

    提供 SOP-8 封装（zhuāng）选项（xiàng）

    典型的开通/关断延时（shí）：680ns/125ns

    死区时间（jiān）：520ns

    安规认证
    典型应用图

    image.png

    产品参数表

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    Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage （Max）（V） Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp（℃） Package Group Packing/QTY
    SiLM2004ECA-DGIGBT/ MOSFET0.29/0.620010 ~ 18680/12570/25520-40 ~ 125SOP8Reel/2500
    应用案例

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