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SiLM2024

200V, 290/600mA 半桥驱动

样片（piàn）申请

SiLM2024 Datasheet

产品（pǐn）概述

产品特性（xìng）

安规认证

典型应用（yòng）图

产（chǎn）品（pǐn）概（gài）述

SiLM2024 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采（cǎi）用专有的高压集成电路和锁存（cún）免疫的CMOS技术可提（tí）供可靠（kào）的单芯（xīn）片驱动方案（àn）。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支持3.3V逻辑（jí）。输（shū）出（chū）驱动器具有高（gāo）脉冲电流缓冲级，以减小驱（qū）动器交叉导通。浮动通道可用于（yú）驱动高边配置的（de）N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高达200V。

产品特（tè）性

为（wéi）自举操作（zuò）设计的浮动通道

完全运行时电压高达（dá） 200V

容许瞬（shùn）间负电压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱（qū）动电源范围从 10V 到 20V

欠压闭锁（suǒ）

3.3V、5V、15V逻辑（jí）输入兼容

驱动电流：290mA/600mA

典型的开通/关断延（yán）时：680 ns/150 ns

死区时（shí）间（jiān）：520 ns

防（fáng）止交（jiāo）叉（chā）导通逻辑

两通道（dào）间匹配传输（shū）延迟