SiLM2660/61是（shì）用于电池充电/放电系统控制的低功耗、高（gāo）边N沟（gōu）道FET驱动器。高边（biān）保护功能可避免系统的接地引脚断（duàn）开连接，以（yǐ）确保电池组和主机（jī）系统之间的持（chí）续通信。SiLM2660具有额外的（de）PFET控制（zhì）输出，以允许对深度放（fàng）电（diàn）的电（diàn）池进行低电流预充电，并且还（hái）集成（chéng）了用于主机监控的电池PACK+电压（yā）检测（cè）。
独（dú）立的使能输入（rù）接口允许（xǔ）电（diàn）池充电和放电FET分别导通和（hé）关断，为电（diàn）池系统（tǒng）保护提（tí）供可靠性和设计（jì）灵（líng）活性。
高边NFET驱动器，具有极（jí）短的开启和关闭（bì）时间，用于（yú）迅速保（bǎo）护电（diàn）池。
预充（chōng）电PFET驱动器为深度耗（hào）尽的（de）电池组提（tí）供电流限制的（de）预充电功（gōng）能(仅（jǐn）适用于SiLM2660)。
充（chōng）电和（hé）放电的独立使能控制。
基于外（wài）部电容器可扩（kuò）展的电荷泵，可适用多颗NFET并联驱动。
高的（de）输入（rù）耐压值（最大100V）。
可配置的电池组（zǔ）电（diàn）压检（jiǎn）测功（gōng）能（仅适（shì）用于SiLM2660）。
支持（chí）可配置的通用和独立充（chōng）电和放电路径（jìng）管理。
低功耗：正（zhèng）常模式：40uA；待机模（mó）式：小于10uA。
400 080 9938
