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SiLM27511H

单（dān）通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极（jí）驱动器

样片（piàn）申请

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产品概述

产品（pǐn）特性

安规认证

典型应用图

产品概述

SiLM27511H系列（liè）是（shì）单通道高欠（qiàn）压保（bǎo）护（hù）低边门极驱（qū）动器，可有效驱动（dòng）MOSFET和IGBT等功率（lǜ）开关。SiLM27511H 采（cǎi）用一种能够从内（nèi）部极大的（de）降（jiàng）低直通（tōng）电流的设计，将高峰（fēng）值（zhí）的源电流和灌电流脉冲提供给电容负载，以实现轨（guǐ）到轨的驱动能力和（hé）典型值仅为（wéi） 18ns 的极小传（chuán）播（bō）延迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情（qíng）况下，能够（gòu）提供 4A 的峰值源（yuán）电（diàn）流和 5A 的峰值灌电流。SiLM27511H 欠（qiàn）压（yā）锁定保护（hù） (UVLO)12.5/11.5V。

产品特（tè）性（xìng）

低成本的门极驱（qū）动（dòng）方案可用于替（tì）代 NPN和（hé） PNP 分离器件方（fāng）案（àn）

4A的峰值（zhí）源电流和（hé） 5A 的峰值灌电流能力

快（kuài）速的传（chuán）播延时（典型值为 18ns）

快速（sù）的（de）上（shàng）升和下（xià）降时间（jiān）（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的（de）单（dān）电源范围

SiLM27511H 欠压锁定保（bǎo）护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和（hé） CMOS 的输入逻辑电压（yā）阈值

双输入设（shè）计(可选择反相或非（fēi）反相驱动配置)

输（shū）入浮空时输出保持为（wéi）低（dī）

工作温度范围为 -40°C 到 140°C